铠侠与闪迪发布第十代 332 层 QLC NAND 闪存，接口速率达 4.8Gb/s

事實脈絡

解讀與影響

这项新技术的核心在于其自主研发的CMOS直接键合阵列（CBA）技术。与传统的将逻辑电路和存储单元在同一晶圆上制造不同，CBA技术允许两者在独立的晶圆上分别制造，再通过高精度的晶圆对晶圆键合工艺整合在一起[来源：IT之家]。这种架构上的优化，使得第十代QLC闪存的位密度相比第八代产品最高提升了60%，达到了超过37 Gb/mm²的水平[来源：finance.sina.com.cn]。更高的位密度意味着在同等面积的晶圆上可以存储更多数据，有助于降低每GB的存储成本，这对于正面临数据爆炸式增长的现代数据中心而言至关重要。

第十代QLC NAND闪存技术示意图

在性能方面，该产品是全球首款NAND I/O接口速率达到4.8 Gb/s的QLC 3D闪存[来源：cnbeta.com.tw]。这一速度的实现，得益于其采用的Toggle DDR6.0接口标准与独立命令地址（SCA）协议，二者共同释放了高速接口的潜能。除了速度，能效也是本次升级的重点。新产品引入了电源隔离低抽头终端（PI-LTT）技术，该技术能有效改善I/O数据输出传输时的功耗表现[来源：cnbeta.com.tw]。铠侠首席技术官宫岛英史指出，随着人工智能从生成式AI向智能体AI及物理AI拓展，数据应用场景日趋复杂，PI-LTT技术带来的能效提升，可直接缓解AI及云基础设施面临的能耗与散热挑战[来源：cnbeta.com.tw]。

值得注意的是，此次发布的QLC产品与铠侠和闪迪上月已开始出货样品的第十代TLC闪存，均基于相同的BiCS FLASH技术平台和332层堆叠设计[来源：google.com（搜狐网）]。然而，QLC版本凭借其每单元存储4比特的特性，实现了远超TLC版本（29 Gb/mm²）的存储密度[来源：google.com（搜狐网）]。这显示出两家公司在推进高容量存储解决方案上的明确策略，即在相同的物理层数下，通过QLC技术进一步挖掘存储密度潜力，以满足市场对低成本、大容量存储日益增长的需求。

參考來源

來源原文

IT之家 8 月 4 日消息，铠侠株式会社今天宣布与闪迪公司共同推出下一代四层单元（QLC）3D 闪存技术。新产品相比双方第八代技术，实现最高 60% 位密度提升（超 37Gb / mm²）。据介绍，第十代 QLC NAND 闪存采用了双方自主研发的 CMOS 直接键合阵列（CBA）技术，可在不同的晶圆上制造 CMOS 逻辑电路、存储阵列，随后通过高精度晶圆对晶圆（IT之家注：Wafer-to-Wafer）技术进行键合。相比第八代 3D 闪存，新一代产品进一步提升了读写带宽，成为业界首款接口速率达到 4.8Gb/s 的 QLC 3D NAND 闪存技术。此外，铠侠和闪迪的第十代 QLC 3D 闪存采用 332 层 NAND 堆叠技术，并通过 Toggle DDR6.0、独立命令地址协议（SCA）提升 60% 位密度。